Характерными тенденциями современного по­лупроводникового производства являются повышение степени ин­теграции элементов на кристалле, увеличение диаметра пластин с соответствующим уменьшением топологических норм.

При производстве микроэлектронных изделий осуществляется прохождение полупроводниковых пластин по технологическому маршруту. После различных процессов (удаления фоторезиста, травления технологических слоев и других) проводится химиче­ская обработка подложек для очистки поверхности от различных загрязнений и подготовки подложек к последующим технологиче­ским операциям (ионному легированию, нанесению эпитаксиаль­ных слоев, высокотемпературным диффузионным операциям) . Химическая обработка проводится также при изготовлении струк­тур без проведения предварительных операций, например, при подготовке подложек к соединению (сращиванию) при изготовле­нии структур "кремний на изоляторе".

Характерными тенденциями современного по­лупроводникового производства являются повышение степени ин­теграции элементов на кристалле, увеличение диаметра пластин с соответствующим уменьшением топологических норм.

При производстве микроэлектронных изделий осуществляется прохождение полупроводниковых пластин по технологическому маршруту. После различных процессов (удаления фоторезиста, травления технологических слоев и других) проводится химиче­ская обработка подложек для очистки поверхности от различных загрязнений и подготовки подложек к последующим технологиче­ским операциям (ионному легированию, нанесению эпитаксиаль­ных слоев, высокотемпературным диффузионным операциям) . Химическая обработка проводится также при изготовлении струк­тур без проведения предварительных операций, например, при подготовке подложек к соединению (сращиванию) при изготовле­нии структур "кремний на изоляторе".