Разделение полупроводниковых пластин на отдельные чипы является одной из заключительных операций в технологическом процессе их производства и имеет очень важное значение. Это обусловлено тем, что материалы, применяемые для изготовления полупроводниковых пластин, являются по своей структуре хрупкими и чувствительными к механическим воздействиям, а дефекты кристаллов, которые могут возникнуть в результате выполнения данной операции, создают угрозу их выхода из строя.
На сегодня существует два метода разделения полупроводниковых пластин с кристаллами на отдельные чипы: механическое и лазерное. Способ механического разделения пластин осуществляется с ис-пользованием установок дисковой резки.